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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116320795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211617880.8，技术领域涉及：H04N25/20；该发明授权内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路是由郭仲杰;王彬;许睿明;刘绥阳;林涛设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路，包括红外探测二极管PD、注入开关S1、复位开关S2、控制开关S3、S4、S5、S6、行选开关S7、源随器SF以及采样电容C1、C2、C3，输入级电路输出端连接像素面阵的列线COL；解决了传统的DI型输入级电路在全局曝光下无法实现CDS的缺点，消除了传统DI输入级电路全局曝光下两次不同复位信号带来的随机复位噪声并且在输入级电路内部进行CDS操作可以省去红外读出电路中后级CDS电路，节省了功耗和面积，同时本发明所提出的输入级电路直接输出CDS电压比传统输入级结构的先输出信号电压后输出复位电压节省了读出时间，提升红外成像系统的帧率。

本发明授权内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路在权利要求书中公布了：1.内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路，其特征在于：包括红外探测二极管PD，红外探测二极管PD的正极接偏压公共端VCOM，红外探测二极管PD的负极连接注入开关S1源级，注入开关S1的漏极分别与复位开关S2源极、控制开关S3源极以及电容C1的上极板相接，复位开关S2的漏极和源随器SF漏极接电源电压VDD，控制开关S3的漏极与控制开关S4漏极以及控制开关S5源极相接，控制开关S4源极与电容C2上极板相接，电容C2下极板与电容C1下极板以及控制开关S6源极均接地电压GND，控制开关S5漏极接电容C3上极板，电容C3下极板与控制开关S6漏极以及源随器SF栅极相接，源随器SF源极接行选开关S7漏极，行选开关S7源极接列线COL； 所述注入开关S1、复位开关S2、控制开关S3、控制开关S4、控制开关S5、控制开关S6、行选开关S7均为N沟道增强型绝缘栅型场效应晶体管； 所述红外探测二极管PD为碲镉汞材料的红外探测器； 所述注入开关S1、复位开关S2、控制开关S3、控制开关S4、控制开关S5、控制开关S6、行选开关S7及源随器SF所用MOS管均为NMOS管，且采用源级与漏极可互换的形式设置； 所述内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路的工作时序为： 步骤1，全局复位操作：注入开关S1、复位开关S2、控制开关S3、控制开关S4导通，其余开关均断开，将红外探测二极管PD和电容C1、电容C2复位，电容C1、电容C2中存储复位电压VRST； 步骤2，积分操作：注入开关S1导通，其余开关均断开，电容C1中存储信号电压VSIG； 步骤3，电荷转移：控制开关S3、控制开关S5、控制开关S6导通，其余开关均断开，电容C1中电荷转移到电容C3中； 步骤4，相关双采样CDS：控制开关S4、控制开关S5导通，其余均断开，电容C3上极板电压为VRST，电容C3底极板电压为VRST-VSIG； 步骤5，读出：行选开关S7导通，通过源随器SF将电容C3底极板的相关双采样CDS电压逐行读出到列线； 步骤6，下一帧全局复位，全局复位后，所有像元进行下一帧的积分操作，后行像元等待读出这一帧的CDS电压。

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