北京中科太赫兹科技有限公司徐健获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科太赫兹科技有限公司申请的专利一种电容电感分层排布的KID芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116222763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211597125.8，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权一种电容电感分层排布的KID芯片及其制备方法是由徐健;田晓春;李波;曾喜设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容电感分层排布的KID芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种电容电感分层排布的KID芯片及其制备方法，包括：呈矩阵排列集总结构的超导谐振器，每个集总结构包括高阻硅基片、电容层、导电通孔、绝缘层和电感层；电容层包括：微波馈线和交指电容；电感层包括：微波信号引线和蜿蜒电感；绝缘层设有连接交指电容与蜿蜒电感的导电通孔，交指电容与蜿蜒电感并联形成具有LC振荡回路特点的超导谐振器，交指电容和蜿蜒电感分层排布；同时，绝缘层设有连接电容层上的微波馈线和电感层上的微波信号引线的导电通孔，实现KID信号的多路复用快速读出。
本发明授权一种电容电感分层排布的KID芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电容电感分层排布的KID芯片，其特征在于，包括：多个呈矩阵排列集总结构的超导谐振器， 其中，每个所述集总结构包括高阻硅基片、电容层、导电通孔、绝缘层和电感层； 所述电容层包括：微波馈线和交指电容； 所述电感层包括：微波信号引出线和蜿蜒电感； 所述绝缘层设有连接交指电容和蜿蜒电感的导电通孔，所述交指电容与所述蜿蜒电感并联形成LC振荡回路特点的超导谐振器，所述交指电容和蜿蜒电感分层排布； 所述绝缘层设有连接所述电容层上的微波馈线和所述电感层上的微波信号引线的导电通孔，实现所述电容层与电感层的连接，并将所述电容层上的微波馈线连接到所述电感层上的所述微波信号引出线上，以实现KID信号的多路复用快速读出。
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