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龙图腾网获悉福州大学申请的专利基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211580080.3，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法是由杨尊先;郭太良;叶雨亮;叶冰清;黄桥灿;沈梓鸿;叶芸;张永爱;陈耿旭;李福山设计研发完成，并于2022-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CdSePbSCdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSePbSCdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

本发明授权基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CdSePbSCdS核壳量子阱发光层的QWLED，其特征在于：由下至上依次包括电极、无机电子传输层、量子阱材料发光层、有机空穴传输层和ITO玻璃基底，其中量子阱材料发光层由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳组成； 所述CdSePbSCdS核壳量子阱发光层的QWLED的制备方法包括以下步骤： （1）将ITO导电玻璃分别使用去离子水、丙酮、异丙醇清洗15-25min，并在一定温度下用氮气烘干； （2）在手套箱中将PEDOT:PSS溶液用旋涂机旋涂在步骤（1）的ITO导电玻璃上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； （3）将TFB溶于甲苯溶液，然后在手套箱中将溶液用旋涂机旋涂在步骤（2）的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； （4）在手套箱中将CdSePbSCdS量子阱溶液用旋涂机旋涂在步骤（3）的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； （5）在手套箱中将Zn0.85Mg0.15O溶液用旋涂机旋涂在步骤（4）的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片放入加热台上进行退火； （6）将步骤（5）得到的导电玻璃片使用热蒸镀机蒸镀电极，即得到基于CdSePbSCdS核壳量子阱发光层的QWLED； 步骤（4）中所述的CdSePbSCdS量子阱溶液浓度为20-40mgml，退火温度为60-80℃，环境条件是在氧气和水均小于1ppm的氮气气氛的手套箱中，退火时间为10-20min。

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