江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211564585.0，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，深紫外发光二极管外延片包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述缓冲层包括依次沉积于所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层和AlGaN层，所述第二AlN层上设有多个In空位；所述第二AlN层的沉积方法为：在第一AlN层上沉积InAlN层，然后退火，以使InAlN层中的InN分解，形成In空位，所述InAlN层的沉积温度小于退火温度。实施本发明，可有效提升深紫外发光二极管的发光效率。
本发明授权深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述缓冲层包括依次沉积于所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层和AlGaN层，所述第二AlN层上设有多个In空位； 所述第二AlN层的沉积方法为：在第一AlN层上沉积InAlN层，然后退火，以使InAlN层中的InN分解，形成In空位，所述InAlN层的沉积温度小于退火温度； 其中，所述InAlN层中In组分的占比为0.01-0.1，其沉积温度为700-900℃； InAlN层的退火温度为1000-1200℃。
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