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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211514576.0，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管及制备方法是由王曦;许建宁;蒲红斌;封先锋;张超;仇茗萱设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管，通过设置凸台状p+SiC发射区以及p+NiO发射区，在365nm紫外光的控制下可以实现导通，并在365nm光撤走之后维持导通状态；通过设置凸台状n+SiC发射区、p型短基区，以及i型Ga2O3换流区，在254nm紫外光的控制下结束内部正反馈，并在254nm光撤走之后转为关断状态。本发明还公开了一种具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管的制备方法。本发明解决了现有技术中存在的SiCLTT难以自主关断、且使用成本升高、电路系统的抗电磁干扰能力下降的问题。

本发明授权具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管及制备方法在权利要求书中公布了：1.具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管，其特征在于，包括n-衬底1，n-衬底1其中一侧表面向上依次制作有n+缓冲层2、p+SiC发射区3、阳极欧姆接触金属11、阳极PAD金属13，p+SiC发射区3和阳极欧姆接触金属11接触的一面为均匀分布的若干个凸台，相邻两个凸台之间设置有p+NiO发射区4，n-衬底1另一侧表面向上制作有p型短基区5，p型短基区5远离n-衬底1的一面上均匀制作有若干n+SiC发射区6和i型Ga2O3换流区7，n+SiC发射区6和i型Ga2O3换流区7交替分布，相邻的n+SiC发射区6和i型Ga2O3换流区7之间设置有钝化层8，i型Ga2O3换流区7远离p型短基区5的一面均匀分布有若干个介质层9，钝化层8纵剖面为T形，钝化层8的竖直部分紧邻n+SiC发射区6和i型Ga2O3换流区7的侧壁，钝化层8的水平部分覆盖部分n+SiC发射区6和i型Ga2O3换流区7的上表面，钝化层8的水平部分之间设置有阴极欧姆接触金属10，阴极欧姆接触金属10的上表面设置有阴极PAD金属12。

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