江西兆驰半导体有限公司高虹获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211519856.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片能够进一步改善droop效应，提升辐射复合几率，获得更佳的光电性能。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层； 所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层； 所述第一量子阱层为InxGa1-xN层，所述第一量子垒层包含AlyGa1-yN层和GaN层，所述第二量子阱层和第三量子阱层均为InzGa1-zN层，所述第二量子垒层和和第三量子垒层均为GaN层，其中，x的取值范围为0.01-0.1，y的取值范围为0.001-0.01，z的取值范围为0.1-0.5； 所述第二量子垒层的厚度小于所述第一量子垒层的厚度； 所述第二量子垒层的厚度小于所述第三量子垒层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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