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龙图腾网获悉北京控制与电子技术研究所申请的专利一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211449833.7，技术领域涉及：G01R31/40；该发明授权一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法是由陈晓嵋;杨柯;黄哲设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法，包括：开关模态分析模块、MOSFET开关占空比确定模块、MOSFET导通损耗确定模块、MOSFET关断损耗分析模块、二极管损耗分析模块、电感损耗分析模块、辅助电路总损耗分析模块构建的含有升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析模型实现。利用该型电路的特点，分析升降压型辅助电路引入的损耗类型及损耗确定方法，分析影响损耗的因素。本发明用于确定升降压型辅助电路的最优参数，从而提高AC‑DCLED驱动电源的整机效率。

本发明授权一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法在权利要求书中公布了：1.一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法，其特征在于具体步骤为： 第一步构建含有升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析系统 含有升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析系统，包括：MOSFET开关模态分析模块、MOSFET开关占空比确定模块、MOSFET开关导通损耗确定模块、MOSFET开关关断损耗分析模块、二极管损耗分析模块、电感损耗分析模块和辅助电路总损耗分析模块； 第二步MOSFET开关模态分析模块分析电路工作状态 MOSFET开关模态分析模块根据MOSFET开关在不同时间的状态，对电路状态进行分析；设定MOSFET开关管以占空比d1导通，导通时间为[t1,t2]，纹波隔离电容Ca和储能电容Cb放电，辅助电路的输入电流增加；MOSFET在t2时刻关断，在[t2,t3]时间段，升降压型辅助电路的输出电流给纹波隔离电容Ca充电，纹波隔离电容电压vca上升，储能电容电压vcb下降；电感La电流在t3时刻变为零；在[t3,t4]时间段，vca和vcb下降； 第三步MOSFET开关占空比确定模块确定MOSFET开关占空比 MOSFET开关占空比确定模块首先设定MOSFET开关的占空比为d1，另外，定义二极管的占空比为d2，根据vcb在t等于0时刻的值Vcb0，输出电流Io，以及开关周期Tsw_a，确定占空比d1和d2，用公式1和公式2表示： 第四步MOSFET开关导通损耗确定模块确定MOSFET开关导通损耗 MOSFET开关导通损耗确定模块根据MOSFET开关的导通电阻Rdson，电路输出功率Po，电感La，开关频率fsw_a，电路输出电压Vo，储能电容Cb两端电压的最大值Vcbmax和最小值Vcbmin，确定MOSFET开关的导通损耗，用公式3表示： 第五步MOSFET开关关断损耗分析模块分析MOSFET开关切换过程的损耗 MOSFET开关关断损耗分析模块首先分析电路特性可知升降压型辅助电路工作在电流断续模式，因此MOSFET开关可以实现零电流开通，开通损耗为零；升降压型辅助电路中MOSFET开关管为硬关断，在关断过程中，关断电压与电流波形会产生交叠面积，产生关断损耗；根据MOSFET器件本身关断时间toff，占空比d1，储能电容Cb电压vcb在t等于0时刻的值Vcb0，确定MOSFET开关损耗也就是MOSFET关断损耗，用公式4表示： 第六步二极管损耗分析模块分析二极管产生的损耗二极管损耗分析模块中升降压型辅助电路中二极管导通时，导通电阻会产生导通损耗；根据二极管正向导通电压VF，以及电源输出电流Io，确定二极管损耗，用公式5表示： 第七步电感损耗分析模块分析电感引入的损耗 电感损耗分析模块中的电路中电感的损耗主要为铜损；根据电感线圈的直流电阻Rtyp和线路上的等效电阻R，占空比d1和d2，确定电感损耗，用公式6表示： 第八步辅助电路总损耗分析模块分析影响该电路损耗的因素 辅助电路总损耗分析模块根据以确定的MOSFET导通损耗、MOSFET关断损耗和二极管损耗以及电感损耗，确定升降压型辅助电路总损耗，用公式7表示；确定出升降压型辅助电路的损耗与Cb的电压平均值Vcb0有关，Vcb0电压值越大，升降压型辅助电路的损耗越小，系统的整体效率也就越高； Ploss_total＝Ploss_on_avg+Ploss_close_avg+Ploss_diode_avg+Ploss_La_avg7 至此，完成含有升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析模型建立和损耗影响分析。

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