华虹半导体(无锡)有限公司马富林获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利侦测PFG中和能力的方法及侦测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211439166.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权侦测PFG中和能力的方法及侦测系统是由马富林;郑刚设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本侦测PFG中和能力的方法及侦测系统在说明书摘要公布了：本发明一种侦测PFG中和能力的方法及侦测系统，其中方法包括：打开PFG，利用PFG的送气系统向离子化腔室中输送惰性气体；向离子检测模块的屏蔽罩内提供由惰性气体离子化生成的阳离子和电子；利用离子检测模块的阳离子检测杯检测与晶圆表面平行的方向上的所述阳离子的分布情况；根据所述阳离子的分布情况，获取与晶圆表面平行的方向上的所述电子的分布情况。本申请利用阳离子检测杯检测PFG发射出来的阳离子的分布情况来反向表征水平方向上PFG发射出的电子的分布情况，从而可以有效侦测PFG腔室引出的自由电子的整体分布情况是否能够满足正离子离子束流的需求，从而实现PFG中和能力的侦测。
本发明授权侦测PFG中和能力的方法及侦测系统在权利要求书中公布了：1.一种侦测PFG中和能力的方法，其特征在于，包括： 打开PFG，利用PFG的送气系统向PFG的离子化腔室中输送惰性气体，所述惰性气体在所述离子化腔室中经离子化生成阳离子和电子； 向离子检测模块的屏蔽罩内提供所述阳离子和所述电子； 利用离子检测模块的阳离子检测杯检测与晶圆表面平行的方向上的所述阳离子的分布情况； 根据所述阳离子的分布情况，获取与晶圆表面平行的方向上的所述电子的分布情况。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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