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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211440530.9，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法是由杨辉;王卉;任栋梁;黄菡昀设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法，包括：S1，写入数据：选中闪存单元进行目标数据写入；S2，选定闪存芯片，读取各闪存单元中存储的数据，将表征存储数据的读出电流与标准电流比较得到读出数据，将读出数据与写入目标数据进行比对，根据比对结果将待测闪存芯片分类；S3，卡紧标准电流对待确认品进行第二次检查，将读出电流与两个卡紧阈值进行比较并再次分类为第一类待确认品和第二类待确认品；S4，对第一类待确认品和第二类待确认品进行模拟老化；S5，老化处理后，进行第三次检查：再次读取闪存芯片各闪存单元中存储的数据，并将其与写入数据再次比对，确定良品、普通不良品和数据保留不良品。

本发明授权一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法，包括如下步骤： 步骤S1，写入数据：选中闪存芯片的闪存单元进行目标数据的写入； 步骤S2，第一次检查：选定闪存芯片，读取各闪存单元中存储的数据，将表征存储数据的读出电流与标准电流进行比较得到读出数据，将读出数据与写入的目标数据进行比对，根据比对结果将待测闪存芯片进行分类，将不通过的判定为普通不良品，通过的判定为待确认品； 步骤S3，卡紧标准电流对步骤S2的待确认品进行第二次检查，对读出时的电流，通过增加两个卡紧一档测试项生成两个卡紧阈值，在待确认品中选中待测闪存芯片进行第二次读取操作得到读出电流，将读出电流与两个卡紧阈值进行比较并再次分类，并根据分类结果对晶圆的芯片数进行统计分类，通过的定义为第一类待确认品，不通过的定义为第二类待确认品，并记录第二类待确认品的失效位地址； 步骤S4，模拟老化：第一类待确认品和第二类待确认品同时置于模拟环境中进行模拟老化，模拟出闪存芯片经过一段时间使用后的状况； 步骤S5，老化处理后进行第三次检查：再次读取闪存芯片的各闪存单元中存储的数据，并将其与写入数据再次比对，确定良品和普通不良品以及数据保留不良品。

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