中国科学院微电子研究所何慧敏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维光电封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115728883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211434667.3，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种三维光电封装结构和封装方法是由何慧敏;阳鹏;刘丰满;薛海韵设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维光电封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维光电封装结构及封装方法，本申请中利用第一电极和第二电极为电光调制器提供垂直穿越电光调制器的纵向电场，即为电光调制器提供Z‑cut电极，相较于为电光调制器提供X‑cut电极和Y‑cut电极，能够大大降低对电光调制器封装的封装空间，并且基于Z‑cut电极的电光调制器在平面上是各向同性的，能够允许弯曲折叠，进一步降低三维光电封装结构占据的空间，提高集成度，第一电极和电光调制器之间距离较近，能够降低光损失，提高光电耦合，提高调制效率，并且本申请中电光调制器和电芯片利用第一电极实现电连接，电光调制器和电芯片之间互连距离较短，能够提高互连带宽。
本发明授权一种三维光电封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种三维光电封装结构，其特征在于，所述三维光电封装结构包括： 封装基板以及设置在封装基板一侧的电芯片； 第一电极，所述第一电极设置于所述电芯片远离所述封装基板的一侧； 电光调制器，所述电光调制器设置在所述第一电极远离所述封装基板的一侧，所述电光调制器和所述电芯片利用所述第一电极实现电连接； 第二电极，所述第二电极设置于所述电光调制器远离所述封装基板的一侧；所述第一电极和所述第二电极用于提供所述电光调制器进行电光调制的电场。
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