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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种单粒子烧毁模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115600434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410928.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种单粒子烧毁模拟方法是由李兴冀;杨剑群;应涛;崔秀海设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单粒子烧毁模拟方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种单粒子烧毁模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数；根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数；根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数；根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子‑空穴对局域生成率模型模拟电子‑空穴对局域生成率。本发明的有益效果：通过模拟单粒子入射时的电子‑空穴对生成率，实现了在模拟仿真器件发生单粒子效应时产生的碰撞电离，进而仿真由于单个高能粒子入射到半导体器件发生单粒子烧毁。

本发明授权一种单粒子烧毁模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种单粒子烧毁模拟方法，其特征在于，包括： 获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数； 根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数包括：当所述电场强度大于预设电场强度时，根据第一碰撞电离电场系数、碰撞电离温度系数、所述晶格温度和第一碰撞电离参数确定公式确定所述碰撞电离参数；当所述电场强度小于或等于所述预设电场强度时，根据第二碰撞电离电场系数、所述碰撞电离温度系数、所述晶格温度和第二碰撞电离参数确定公式确定所述碰撞电离参数，其中，所述碰撞电离系数包括所述碰撞电离温度系数和碰撞电离电场系数，所述碰撞电离电场系数包括所述第一碰撞电离电场系数和所述第二碰撞电离电场系数，所述第一碰撞电离参数确定公式包括： ； ； ； ； 所述第二碰撞电离参数确定公式包括： ； ； ； ； 其中，AN、AP、BN、BP为所述碰撞电离参数，AN1、AP1、AB1、BP1为所述第一碰撞电离电场系数，AN2、AP2、AB2、BP2为所述第二碰撞电离电场系数，A·NT、A·PT、B·NT、B·PT、M·ANT、M·APT、M·BNT、M·BPT为所述碰撞电离温度系数，为所述晶格温度； 根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数； 根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子-空穴对局域生成率模型模拟电子-空穴对局域生成率。

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