之江实验室王真真获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211398685.0，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法是由王真真;李佳;黄欣雨;储涛设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法，包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块，扇出结构基板既作为基板，又作为扇出结构，通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚，在固定硅光芯片的同时，将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚，并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接，实现电学封装，并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状，扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间，便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装，满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。
本发明授权一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构，其特征在于，包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块， 所述硅光芯片带有设于中部的高密度第一电学引脚，还带有设有两侧边缘的高密度光学耦合端口； 所述扇出结构基板为工字型，由两翼板和腹板组成，腹板表面设有与硅光芯片的第一电学引脚适配电连接的第二电学引脚，两翼板边缘设有大间距的第三电学引脚，两翼板与腹板形成两侧凹槽区域； 所述转接电路模块设有与两翼板的第三电学引脚适配电连接的第四电学引脚； 硅光芯片的第一电学引脚通过与扇出结构基板的第二电学引脚电学连接后，通过扇出结构基板内部单层或多层电路图扇出至第三电学引脚，第三电学引脚再与转接电路模块的第四电学引脚电学连接，实现电封装，扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间，便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装； 所述转接电路模块中间设有孔洞空白区域，用于容纳封装到扇出结构基板上的硅光芯片或外部光纤阵列。
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