湖北科技学院方明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北科技学院申请的专利基于PTX对称电介质的多波长激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115693377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211374853.2，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权基于PTX对称电介质的多波长激光器是由方明;刘江华;程伟设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PTX对称电介质的多波长激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及基于PTX对称电介质的多波长激光器，包括由电介质薄片A和B对接形成的电介质结构，且所述电介质结构满足nar＝nbr；G为尺度变换系数，A的厚度为da，B的厚度为db，nar和nbr分别为A和B折射率的实部，nai和nbi分别为A和B折射率的虚部；所述电介质结构支持多波长激光点，多波长激光点对应着透射率和反射率的极大值点，可通过改变入射角的大小，来调控多波长激光器的波长。本发明的PTX对称电介质结构简单，缩短了增益介质的尺度，便于在实践中实现，从而得到较理想的多波长激光器。所述多波长激光器可通过改变入射角的大小来灵活地调控波长。
本发明授权基于PTX对称电介质的多波长激光器在权利要求书中公布了：1.基于PTX对称电介质的多波长激光器，其特征在于，包括由两种折射率不同的电介质薄片A和电介质薄片B对接形成的电介质结构，且所述电介质结构满足nar＝nbr；其中G为尺度变换系数，电介质薄片A的厚度为da，电介质薄片B的厚度为db，nar和nbr分别为电介质薄片A折射率的实部和电介质薄片B折射率的实部，nai和nbi分别为电介质薄片A折射率的虚部和电介质薄片B折射率的虚部； 所述电介质结构支持多波长激光点，所述多波长激光点对应着透射率和反射率的极大值点，且所述多波长激光点所对应的波长可调。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北科技学院，其通讯地址为：437000 湖北省咸宁市咸宁大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号