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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体集成器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211316324.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体集成器件的制造方法是由张晗;金锋;杨新杰;朱兆强设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体集成器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体集成器件的制造方法方法，应用于半导体技术领域。具体的，其通过在去除了低压器件区的厚氧形成该区域的MOS器件的栅氧的过程中，同时在SGT器件中的表面形成一层薄氧层，从而弥补在刻蚀形成SGT器件的栅极多晶硅时，由于刻蚀过程中的误差导致的SGT器件的栅氧的损伤，进而避免了SGT器件发生漏电的问题，即，提高了器件的性能。并且，本发明提供了一种可以在同一块芯片同步生产SGT分离器件和BCD功率IC器件的方法，进而避免了现有技术中需要分步分别形成所述器件之后，再将二者键合连接，而导致的二者之间的寄生Rs和Rc比较大的问题，同时也提高了SGT器件和BCD器件的性能匹配度。

本发明授权半导体集成器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括依次并排排列的SGT器件区、低压器件区和高压器件区，所述低压器件区包括PMOS区和NMOS区，所述高压器件区包括NLDMOS区和PLDMOS区，所述半导体衬底上形成有多个用于隔离所述SGT器件区、低压器件区和高压器件区中各器件结构的沟槽隔离结构，而所述沟槽隔离结构的顶面高于所述半导体衬底的顶面； 在所述SGT器件区所对应的半导体衬底内形成栅极沟槽、耐压槽以及填充在所述栅极沟槽内的第一氧化层、源极多晶硅、隔离层、第二氧化层和栅极多晶硅，其中所述源极多晶硅还填满所述耐压槽，所述栅极多晶硅覆盖在所述隔离层的表面上并至少填满剩余的栅极沟槽，且还延伸覆盖在所述耐压槽中的所述源极多晶硅以及所述低压器件区和所述高压器件区所对应的半导体衬底的表面上，所述第二氧化层还延伸覆盖在相邻所述沟槽隔离结构之间的半导体衬底的表面上； 回刻蚀所述栅极多晶硅，直至所述耐压槽和所述栅极沟槽中剩余的栅极多晶硅与所述回刻蚀后剩余的第二氧化层的表面齐平； 去除位于所述低压器件区中的所述第一氧化层； 在所述半导体衬底的表面上形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述剩余的第二氧化层的表面上，并延伸覆盖在所述低压器件区中相邻两个沟槽隔离结构之间所对应的半导体衬底的表面上。

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