武汉邮电科学研究院有限公司陶金获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉邮电科学研究院有限公司申请的专利一种双向耦合器及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211288056.2，技术领域涉及：H01P5/18；该发明授权一种双向耦合器及使用方法是由陶金;武霖;姜天才;肖希设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向耦合器及使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双向耦合器及使用方法，涉及信息光电子技术领域，其中双向耦合器包括：氮化硼薄膜；石墨烯薄膜，其与所述氮化硼薄膜间隔交错设置以形成一耦合区。本发明中的双向耦合器可以在同一个结构上实现两个方向的光波耦合。
本发明授权一种双向耦合器及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种双向耦合器，其特征在于，包括： 氮化硼薄膜； 石墨烯薄膜，其与所述氮化硼薄膜间隔交错设置以形成一耦合区； 所述耦合区的长度满足：，其中，为耦合区的长度，为石墨烯表面等离激元的有效折射率，为氮化硼表面声子激元的有效折射率； 所述氮化硼薄膜和石墨烯薄膜呈上下间隔、左右水平交错布置，以在利用波长范围为6.22μm-7.3μm内的中远红外光时，使石墨烯薄膜上形成的表面等离激元波和氮化硼薄膜上形成的表面声子激元波进行同向耦合，并在利用波长范围为12.05μm-12.82μm的中远红外光时，使表面等离激元波和表面声子激元波进行相背耦合。
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