江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利深紫外发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211142488.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权深紫外发光二极管外延片及其制备方法是由程龙;郑文杰;刘春杨;胡加辉设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本深紫外发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层；非掺杂AlGaN层包括沿外延生长方向依次沉积的三维成核层二维侧向生长层、三维‑二维过渡层及二维平整层；三维成核层二维侧向生长层包括周期性依次交替生长的三维成核层及二维侧向生长层，三维‑二维过渡层的Al组分含量及生长温度由二维侧向生长层的Al组分含量及生长温度逐渐增长至二维平整层的Al组分含量及生长温度。本发明可有效降低外延片的位错密度，形成高质量的高Al组分AlGaN材料，进而有效提高深紫外发光二极管的光电性能。
本发明授权深紫外发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次外延生长缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层； 所述非掺杂AlGaN层包括沿外延生长方向依次沉积的三维成核层二维侧向生长层、三维-二维过渡层及二维平整层； 所述三维成核层二维侧向生长层包括周期性依次交替生长的三维成核层及二维侧向生长层，所述二维侧向生长层的Al组分含量及生长温度低于所述二维平整层的Al组分含量及生长温度，且所述三维-二维过渡层的Al组分含量及生长温度由所述二维侧向生长层的Al组分含量及生长温度逐渐增长至所述二维平整层的Al组分含量及生长温度。
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