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龙图腾网获悉芯合半导体公司申请的专利OPC建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211111853.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC建模方法是由潘奕诺;王英芳;金起鎬;陈少文;E·S·派仑特设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC建模方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种OPC建模方法，包括：确定光学模型参数和抗蚀剂模型参数；对各参数随机取值，生成多个参数组合；进行光刻仿真和对晶圆进行刻蚀，计算光刻仿真关键尺寸和晶圆刻蚀关键尺寸的差值的均方根值和泊松曲线误差值；根据帕累托定律进行评估，计算帕累托最优集至帕累托第N次优集，对多个参数组合按从优到劣的顺序进行排列；采用遗传算法对多个参数组合进行交叉和或突变处理形成新的参数组合；对新的参数组合按照步骤S3～S5迭代，直到次数达到第一设定值，将此时得到的排列顺序最靠前的参数组合用于OPC建模。本发明在建模时对光学模型参数和抗蚀剂模型参数同时进行调整，可同时找出光学模型参数和抗蚀剂模型参数的最优值。

本发明授权OPC建模方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC建模方法，其特征在于，包括： S1：确定光学模型参数、抗蚀剂模型参数以及各参数的取值范围； S2：通过在所述取值范围内对各参数进行随机取值，生成多个参数组合，每个参数组合同时包含光学模型参数数值和抗蚀剂模型参数数值，不同参数组合包含的光学模型参数数值和抗蚀剂模型参数数值互不相同； S3：使用多个参数组合分别进行光刻仿真和对晶圆进行刻蚀，并分别计算光刻仿真关键尺寸和晶圆刻蚀关键尺寸的差值的均方根值和泊松曲线误差值，以得到多个差值的均方根值和多个泊松曲线误差值； S4：根据帕累托定律对所述多个差值的均方根值和所述多个泊松曲线误差值进行评估，计算帕累托最优集、帕累托次优集、帕累托第二次优集至帕累托第N次优集，以对多个参数组合按从优到劣的顺序进行排列，其中，N为大于1的整数； S5：采用遗传算法对步骤S4排列后的多个参数组合进行同位交叉和或突变处理，以形成新的多个参数组合； S6：对新的多个参数组合按照步骤S3～步骤S5迭代，直到迭代次数达到第一设定值，将此时得到的排列顺序最靠前的参数组合用于OPC建模。

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