昆明理工大学;云南前沿液态金属研究院有限公司种晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学;云南前沿液态金属研究院有限公司申请的专利一种筛选含铋合金熔接材料的方法及含铋合金熔接材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211059132.2，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种筛选含铋合金熔接材料的方法及含铋合金熔接材料是由种晓宇;宋平;冯晶;宋东明;余威;林洋;母昆阳;杨志恒设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种筛选含铋合金熔接材料的方法及含铋合金熔接材料在说明书摘要公布了：本发明涉及熔接材料的筛选技术领域，具体涉及一种筛选含铋合金熔接材料的方法，包括采用第一性原理对Sn‑Bi‑TM体系各二元晶体结构进行低精度到高精度的结构优化，通过Vasp计算各二元晶体结构的基本物相信息；基于高精度优化后的各二元晶体结构，计算各二元晶体结构的声子谱；基于准简谐近似方法，计算各二元晶体结构的热学性能，得到热力学数据，基于热力学数据来评估CALPHAD模型参数，建立Sn‑Bi‑TM体系的热力学模型；基于热力学模型得到各二元晶体结构的液相投影面，找到共晶点和温度，筛选含铋合金熔接材料。本发明还公开了两种含铋合金熔接材料，这两种低熔点共晶含铋合金熔接材料成分的比例是首次发现，具有低熔点，造粉质量高、无粘结现象等优点。
本发明授权一种筛选含铋合金熔接材料的方法及含铋合金熔接材料在权利要求书中公布了：1.一种筛选含铋合金熔接材料的方法，其特征在于，包括以下内容： 步骤1，获取Sn-Bi-TM体系中存在的二元晶体结构，TM代表Sb、Ag、Zn、Cu中的一种； 步骤2，采用基于密度泛函理论的第一性原理对各二元晶体结构进行低精度到高精度的结构优化，计算各二元晶体结构的基本物相信息； 步骤3，基于高精度优化后的各二元晶体结构，计算各二元晶体结构的声子谱； 步骤4，基于准简谐近似方法，计算各二元晶体结构的热学性能，得到热力学数据； 步骤5，采用步骤4得到的热力学数据来评估CALPHAD模型参数，建立Sn-Bi-TM体系的热力学模型； 步骤6，基于热力学模型得到各二元晶体结构的液相投影面，基于液相投影面找到共晶点和温度，筛选出含铋合金熔接材料。
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