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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种具有金属场板的LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030595.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有金属场板的LDMOS器件及其制备方法是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有金属场板的LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种具有金属场板的LDMOS器件及其制备方法，该LDMOS器件包括：半导体衬底、埋氧区、漂移区、漏极区、P型阱区、源极区、P型基区、钝化层、栅极区、栅极扩展区、多个金属场板、源极电极、漏极电极以及栅极电极；通过在埋氧区和漂移区之间的界面位置设置多个金属场板，使得每个金属场板对应的产生一个电场尖峰，从而在漂移区的底部形成多个高电场，不仅可以提升器件的纵向耐压，还可以利用多个电场尖峰提高LDMOS器件的表面电场，使得横向电场分布更加均匀，提高横向耐压，通过栅极扩展区设置可以在漂移区上方形成低电阻的电子通道，进而减小LDMOS器件导通电阻，实现在提升器件击穿电压的基础上降低器件的导通电阻的目的。

本发明授权一种具有金属场板的LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有金属场板的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 半导体衬底； 埋氧区，设于所述半导体衬底上； 漂移区，设于所述埋氧区上；其中，所述漂移区呈“L”型结构； 漏极区，设于所述漂移区的水平部上； P型阱区，设于所述埋氧区上，且与所述漂移区接触；其中，所述P型阱区呈“L”型结构； 源极区，设于所述P型阱区的水平部上； P型基区，设于所述埋氧区上，且分别与所述P型阱区和所述源极区接触； 钝化层，设于所述源极区、所述P型阱区以及所述漂移区上；其中，所述钝化层呈“L”型结构； 栅极区，设于所述钝化层的水平部上，且与所述钝化层的垂直部接触； 栅极扩展区，设于所述钝化层的水平部上，且与所述栅极区接触； 多个金属场板，多个所述金属场板分别设于所述漂移区底部，且分别与所述埋氧区接触； 源极电极，与所述源极区接触； 漏极电极，与所述漏极区接触； 栅极电极，与所述栅极区接触。

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