ASM IP私人控股有限公司T.哈坦帕获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利气相沉积过程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030946.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权气相沉积过程是由T.哈坦帕;A.维赫尔瓦亚拉;M.瑞塔拉设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本气相沉积过程在说明书摘要公布了：本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，涉及含元素金属或半金属的层，涉及半导体结构和器件，以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供金属或半金属前体，以及以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料。根据该方法的还原剂包括选自包含含锗取代基的化合物的环己二烯化合物。
本发明授权气相沉积过程在权利要求书中公布了：1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，该方法包括： 在反应室中提供衬底； 以气相向反应室提供金属或半金属前体；以及 以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料；其中还原剂包含选自式I化合物的环己二烯化合物， 其中，Z1和Z2中的每个独立地选自CR11和N，R1至R11中的每个独立地是H、C1至C7直链或支链烷基、C6至C10芳基或者C6至C14杂芳基，其中，两个锗原子通过氮杂原子取代环中的一个碳原子而键合到环结构上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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