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龙图腾网获悉重庆万国半导体科技有限公司申请的专利一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210973107.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法是由秦潇峰;石亮;胡玮设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备；B、正面终端结构的制备；C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备；所述高密度沟槽包括若干元胞活性沟槽、元胞伪沟槽、划片道沟槽；D、电路链接层和钝化层的制备；E、晶圆背面的制备。本发明有利于缓解在大尺寸晶圆上生产IGBT器件的翘曲问题，并且缓冲层的深度以及浓度易于调节，可以充分满足应用的需求，并提高IGBT芯片的产出率。

本发明授权一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： A、外延层的制备； B、正面终端结构的制备； C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备； D、电路链接层和钝化层28的制备； E、晶圆背面的制备； 所述步骤B正面终端结构的制备具体包括如下步骤： S3、在第二外延层3上沉积二氧化硅得到厚氧化层4； S4、在厚氧化层4上进行第一光刻胶层5旋凃，通过光刻机曝光将掩膜版上电路图形定义在第一光刻胶层5上； S5、通过干法或湿法刻蚀将电路图形转移到厚氧化层4上，并将第一光刻胶层5去除； S6、对第二外延层3进行离子注入得到终端区域6，离子注入的杂质包括三价元素或五价元素，对注入杂质进行热激活得到终端注入区161；所述离子注入次数为一次或多次； 所述步骤C具体包括如下步骤： S7、在第二外延层3上表面制作硬膜7，所述硬膜7的材质为二氧化硅，通过低温化学气相沉积或者高温炉管工艺制得； S8、在硬膜7上进行第二光刻胶层8旋涂，通过光刻机曝光将掩模版上高密度的沟槽的图形定义在第二光刻胶层8上； S9、在第二光刻胶层8上形成电路图形后，通过干法刻蚀将电路图形转移到二氧化硅的硬膜7上，并将第二光刻胶层8去除； S10、在硬膜7上形成电路图形后，利用干法刻蚀在第二外延层3上形成若干高密度沟槽，并将硬膜7去除；所述高密度沟槽包括若干元胞活性沟槽9、元胞伪沟槽、划片道沟槽11； S11、通过炉管热氧化工艺，在沟槽的侧壁生长一层牺牲氧化层12； S12、通过湿法刻蚀，将牺牲氧化层12去除，然后通过高温炉管热氧化工艺生长栅极氧化层13； S13、通过低压化学气相沉积方式在高密度沟槽和第二外延层3上方沉积一层多晶硅14； S14、在多晶硅14上进行第三光刻胶层15旋涂，通过光刻机曝光将掩模版上沟槽图形定义在第三光刻胶层15上，并采用干法刻蚀，将沟槽图形转移到多晶硅14上后，去除第三光刻胶层15； S15、通过对第二外延层3进行体区16离子注入制作得到体区16，离子注入的杂质包括三价元素或五价元素，对注入杂质进行热激活； S16、在外延片上表面进行第四光刻胶层17旋涂，通过光刻机曝光将掩膜版上有源区18图形定义在第四光刻胶层17上，从而实现有源区18图形； S17、通过对第二外延层3进行有源区18注入制作得到有源区18，离子注入的杂质包括三价元素或五价元素，对注入杂质进行热激活； S18、在外延片表面生长二氧化硅绝缘层19。

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