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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210842683.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权IGBT器件及其制备方法是由刘会阳;汪彬彬;蒋章;刘须电设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，其中方法包括：在层间绝缘介质层中形成一刻蚀窗口；去除剩余的层间绝缘介质层和第一厚度的隔离氧化层；去除部分衬底、部分多晶硅层；湿法刻蚀去除第二厚度的隔离氧化层，此时形成第二尖峰和第三尖峰；干法刻蚀去除第二尖峰和第三尖峰。本申请通过刻蚀衬底和多晶硅层以及刻蚀隔离氧化层，再干法刻蚀去除残留的第二尖峰和第三尖峰，可以很好地处理沟槽型发射极结构的顶端存在的衬底‑隔离氧化层‑多晶硅层三种物质及其形成的两个界面，使得最终的所述沟槽型发射极结构的顶端平坦，即，使得所述刻蚀窗口下的衬底的上表面、多晶硅层的上表面和隔离氧化层的上表面趋于齐平，从而提高了IGBT器件的良率。

本发明授权IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成沟槽型发射极结构和位于所述沟槽型发射极结构两侧的沟槽型栅极结构，所述衬底上形成有层间绝缘介质层，其中，所述沟槽型发射极结构包括：隔离氧化层和覆盖所述隔离氧化层的多晶硅层； 去除部分厚度的所述层间绝缘介质层以在所述层间绝缘介质层中形成一刻蚀窗口； 根据所述刻蚀窗口，去除剩余厚度的所述层间绝缘介质层，其中，在去除剩余厚度的所述层间绝缘介质层的同时，过量刻蚀第一厚度的所述隔离氧化层； 根据所述刻蚀窗口，采用刻蚀工艺去除一定厚度的所述衬底和一定厚度的所述多晶硅层，此时，在所述刻蚀窗口中，所述隔离氧化层与所述隔离氧化层两个相对侧面分别残留的所述衬底、所述多晶硅层构成两个第一尖峰； 采用湿法刻蚀工艺去除所述第一尖峰中的第二厚度的所述隔离氧化层，其中，所述隔离氧化层与所述衬底的交界位置形成第二尖峰；所述隔离氧化层与所述多晶硅层的交界位置形成第三尖峰； 采用干法刻蚀工艺去除所述第二尖峰和所述第三尖峰。

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