江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利氮化物基LED外延结构、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210807697.8，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权氮化物基LED外延结构、其制备方法与应用是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物基LED外延结构、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物基LED外延结构、其制备方法与应用。所述外延结构包括n型层、缓冲层、限制层、发光层和p型层；缓冲层表面分布有第一倒锥坑结构；限制层填充第一倒锥坑结构，且分布有第二倒锥坑结构，发光层填充第二倒锥坑结构，且表面分布有第三倒锥坑结构；p型层填充第三倒锥坑结构，且具有平整表面。本发明通过设置限制层，先填充缓冲层的倒锥坑，然后引入新倒锥坑，阻断了发光层中的空穴通过氮化物缓冲层中的倒锥坑传输至氮化物缓冲层，提高了发光层中空穴分布密度；空穴可利用倒锥坑屏蔽载流子泄露至位错，抑制了非辐射复合，极大改善外延结构的发光效率，结构简单，降低了制备周期，提高了设备稼动率，适用于大规模量产工艺。
本发明授权氮化物基LED外延结构、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化物基LED外延结构，其特征在于包括沿指定方向依次设置的n型氮化物层、氮化物缓冲层、氮化物限制层、量子阱发光层和p型氮化物层； 其中，所述氮化物缓冲层具有超晶格结构，并且所述氮化物缓冲层表面分布有第一倒锥坑结构； 所述氮化物限制层包括沿指定方向依次设置的氮化物覆盖层、氮化物开口层和氮化物势垒层；其中，所述氮化物覆盖层填充所述第一倒锥坑结构且具有平整表面，所述氮化物开口层覆设于所述氮化物覆盖层表面，并形成第二倒锥坑结构，所述氮化物势垒层覆设于所述氮化物开口层表面； 所述量子阱发光层填充至少部分所述第二倒锥坑结构，且所述第二倒锥坑结构延伸至所述量子阱发光层中，形成第三倒锥坑结构； 所述p型氮化物层填充所述第三倒锥坑结构，且所述p型氮化物层具有平整表面。
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