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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利晶圆的研磨方法及晶圆的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210769328.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶圆的研磨方法及晶圆的处理方法是由段亦锋设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的研磨方法及晶圆的处理方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆的研磨方法及晶圆的处理方法。晶圆的研磨方法包括：提供晶圆，晶圆包括器件区域及边缘区域；自晶圆的背面对晶圆进行预减薄处理；对预减薄处理后的晶圆的背面进行太鼓研磨，太鼓研磨后，晶圆的边缘区域形成凸环。本发明的晶圆的研磨方法中，在对晶圆的背面进行太鼓研磨之前增设对自晶圆的背面进行预减薄处理的步骤，可以通过调节预减薄处理中的减薄量来灵活调整最终得到的晶圆的最终厚度，可以得到数值范围更为广泛的最终厚度的晶圆，能够满足工艺对不同最终厚度的晶圆的需求。

本发明授权晶圆的研磨方法及晶圆的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括器件区域及边缘区域； 自所述晶圆的背面对所述晶圆进行预减薄处理，通过调节预减薄处理中的减薄量来调整最终得到的晶圆的最终厚度； 对预减薄处理后的所述晶圆的背面进行太鼓研磨，所述太鼓研磨后，所述晶圆的边缘区域形成凸环，进行太鼓研磨的过程中，去除的所述晶圆的厚度与垫片治具的厚度相同； 提供贴装装置，所述贴装装置包括切割环及切割膜，所述切割膜贴置于所述切割环上； 将研磨处理后的所述晶圆贴置于所述切割膜的表面，所述晶圆的背面与所述切割膜的表面相接触，且位于所述晶圆的器件区域的背面的所述切割膜与垫片治具的表面相接触； 提供真空吸附载台，所述真空吸附载台包括载台主体及位于所述载台主体内的真空吸附装置，所述真空吸附载台的表面设有垫片治具，所述垫片治具内设有沿厚度方向贯穿所述垫片治具的吸附孔，所述吸附孔与所述真空吸附装置相连通； 将贴置有所述晶圆的所述贴装装置置于所述真空吸附载台上，位于所述凸环表面的所述切割膜与所述真空吸附载台的表面相接触，位于所述器件区域的背面的所述切割膜与所述垫片治具的表面相接触； 使用切割刀切割去除所述边缘区域及所述凸环。

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