江西兴泰科技有限公司张军获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兴泰科技有限公司申请的专利一种防止高温漏流的TFT面板结构及其工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210723436.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种防止高温漏流的TFT面板结构及其工艺是由张军;胡自萍;石浩设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防止高温漏流的TFT面板结构及其工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种防止高温漏流的TFT面板结构及其工艺，TFT面板结构包括玻璃基板、位于玻璃基板上的COM电极、位于玻璃基板上且覆盖COM电极的第一绝缘层、位于第一绝缘层上且等间隔分布的若干数据线、位于第一绝缘层上且设置在相邻的两根数据线之间的像素电极以及位于第一绝缘层上且完全覆盖数据线和像素电极的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于每根数据线上方的凸型台阶以及位于像素电极上且设置在相邻的两个凸型台阶之间的凹陷区域，所述TFT面板结构本体还包括位于每个凹陷区域内的像素ITO，该结构能够避免出现高温漏流的现象，从而防止了漏电现象发生，避免了电子纸发糊的情况，该结构简单，实用性强，提高了产品的可靠性和寿命。
本发明授权一种防止高温漏流的TFT面板结构及其工艺在权利要求书中公布了：1.一种防止高温漏流的TFT面板结构，包括TFT面板结构本体，其特征在于：所述TFT面板结构本体包括玻璃基板1、位于玻璃基板1上的COM电极2、位于玻璃基板1上且覆盖COM电极2的第一绝缘层3、位于第一绝缘层3上且等间隔分布的若干数据线4、位于第一绝缘层3上且设置在相邻的两根数据线4之间的像素电极5以及位于第一绝缘层3上且完全覆盖数据线4的第二绝缘层7，所述第二绝缘层7包括位于每根数据线4上方的凸型台阶8以及位于像素电极5上且设置在相邻的两个凸型台阶8之间的凹陷区域9，所述TFT面板结构本体还包括位于每个凹陷区域9内的像素ITO10，所述像素ITO10的上表面到玻璃基板1底面之间的距离小于或等于凸型台阶8的上表面到玻璃基板1底面之间的距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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