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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115032205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210647965.4，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统是由季明华;黄早红设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统。该缺陷检测方法中，通过采集来自掩模体的反射光以得到对应的光强度分布，进而可根据光强度分布分析并揭示出掩模体内的缺陷信息。该缺陷检测方法是基于光学检测过程而能够快速且无损的实现对掩模体的缺陷检测。

本发明授权反射型掩模体的缺陷检测方法及缺陷检测系统在权利要求书中公布了：1.一种反射型掩模体的缺陷检测方法，其特征在于，包括： 将波长为2nm-30nm的入射光投射至待检测掩模体上的至少一检测点，并采集对应的反射光；以及， 根据采集到的反射光得到对应的圆锥体空间角方向的光强度分布，并对检测点的光强度分布进行分析以获取缺陷信息； 其中， 得到光强度分布的方法包括：获取位于主反射角上的主反射光的光强度信息和偏离主反射角的分散反射光的光强度信息，以绘制出关于不同反射角度的光强度分布曲线图； 对检测点的光强度分布进行分析以获取缺陷信息的方法包括： 将具有第一光斑尺寸的入射光投射至所述待检测掩模体上，并获取对应的光强度分布，以根据得到的光强度分布得到掩模体内的层表面均匀性，所述第一光斑的尺寸介于50nm-100nm； 将具有第二光斑尺寸的入射光投射至所述待检测掩模体上，并获取对应的光强度分布，以根据得到的光强度分布分析出检测点的缺陷形态，所述第二光斑尺寸小于所述第一光斑尺寸，所述第二光斑的尺寸介于1nm-50nm；判断检测点的光强度分布相对于基准光强度分布是否出现偏差，所述基准光强度分布为无缺陷区域的光强度分布；若检测点的光强度分布曲线图相对于基准光强度分布曲线图出现波宽增大、波峰降低和多重峰值中的至少其中之一，则确定出当前检测点内存在缺陷；并且，判断出检测点的光强度分布和基准光强度分布存在偏差之后，根据检测点的光强度分布曲线图相对于基准光强度分布曲线图的偏差状况而推断出检测点存在的缺陷类型、缺陷深度和缺陷尺寸。

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