昕原半导体(杭州)有限公司仇圣棻获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(杭州)有限公司申请的专利RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115394916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210629602.8,技术领域涉及:H10N70/20;该发明授权RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置是由仇圣棻;陈亮;杨芸设计研发完成,并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置,包括下电极通孔、下极板层和钝化层;下电极通孔设置在绝缘层内,下电极通孔的底部设置在金属连线层上;在下电极通孔内设置有导电材料层;导电材料层的顶部呈圆弧形状;下极板层设置在导电材料层的顶部,下极板层的端部设置在绝缘层上,使下极板层呈圆弧形穹顶状;钝化层设置在下极板层的上部;且在钝化层的顶部设置有钝化层开口,下极板层的穹顶通过钝化层开口裸露在所述钝化层的外部。利用本发明能够解决器件后续擦除和写入存在不稳定的问题。
本发明授权RRAM下电极结构、制造方法和阻变存储器及电子装置在权利要求书中公布了:1.一种RRAM下电极结构,其特征在于,包括下电极通孔、下极板层和钝化层;其中, 所述下电极通孔设置在绝缘层内,所述下电极通孔的底部设置在金属连线层上;在所述下电极通孔内设置有导电材料层;所述导电材料层的顶部呈圆弧形状; 所述下极板层设置在所述导电材料层的顶部,所述下极板层的端部设置在所述绝缘层上,使所述下极板层呈圆弧形穹顶状; 所述钝化层设置在所述下极板层的上部;且在所述钝化层的顶部设置有钝化层开口,所述钝化层开口位于所述下极板层的圆弧形穹顶;所述下极板层的穹顶通过所述钝化层开口裸露在所述钝化层的外部。
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