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龙图腾网获悉浙江禾芯集成电路有限公司申请的专利一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604912.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法是由张黎设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的制作方法，属于半导体封装技术领域。其采用垂直型MOSFET芯片的背面朝下贴装至立体金属框架的刻蚀面上，通过立体金属框架的折转使用实现了垂直型MOSFET芯片的漏极、源极和栅极在同一平面分布，缩短了垂直型MOSFET芯片与外界互联距离，增强了芯片的导电效果，精简了封装结构；同时采用金属导电散热板大面积接触垂直型MOSFET芯片的背面漏极区，散热性能优异，提升了产品的品质；立体金属框架的漏极金属引脚呈凹弧形柱状，或者，在立体金属框架的漏极金属引脚的底部设置锁胶通孔，均增强了金属柱和塑封材料之间的结合力，达到了增加产品可靠性的目的。

本发明授权一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法，其工艺方法如下： 步骤一、准备来料的晶圆（100），所述晶圆（100）上有排列整齐的横向与纵向交叉的切割道Ⅰ（110），切割道Ⅰ（110）将晶圆（100）预分成复数颗垂直型MOSFET芯片（10），每一垂直型MOSFET芯片（10）的正面设有源极区和栅极区、背面设为漏极区； 步骤二、依次通过溅射、腐蚀、化学沉积、印刷或者喷涂液态金属的方式分别在垂直型MOSFET芯片（10）的源极区制作源极导电垫（13）、在其栅极区设置栅极导电垫（15）； 步骤三、通过低温烧结银连接技术在垂直型MOSFET芯片（10）的漏极区形成高电导率的银微粒烧结体作为导电线路层（30）； 步骤四、采用切割工艺沿切割道Ⅰ（110）形成复数颗独立的芯片单体（10）； 步骤五、准备立体金属框架条（200），其背面的刻蚀面朝上作为作业面，所述立体金属框架条（200）上排布复数个二字形的镂空图案（220）、横向切割道Ⅲ（210）、纵向切割道Ⅲ（230）和对位点（250），横向切割道Ⅲ（210）设置在立体金属框架条（200）的上下两侧边，每个镂空图案（220）均为不连续图形，沿横向切割道Ⅲ（210）阵列分布于立体金属框架条（200）的两侧，上下横向切割道Ⅲ（210）分别穿过每一个镂空图案（220）的上沿和下沿，横向切割道Ⅲ（210）与纵向切割道Ⅲ（230）将立体金属框架条（200）预分割成复数个立体金属框架（20），所述镂空图案（220）被横向切割道Ⅲ（210）预切开形成导流孔（221），每一立体金属框架（20）包括金属框架本体（21）和漏极金属引脚（25），所述漏极金属引脚（25）与立体金属框架（20）的内侧共同构成型腔（26）；所述漏极金属引脚（25）的底部开设锁胶通孔（27），所述锁胶通孔（27）的纵截面呈弧形、单几字形或双几字形，其通孔方向垂直垂直型MOSFET芯片（10）的短边； 所述漏极金属引脚（25）的成形工艺：在立体金属框架条（200）成形时，将立体金属框架条（200）的原材通过多次半刻蚀工艺将多余的金属材料去除，形成带有漏极金属引脚（25）的立体金属框架条（200），所述漏极金属引脚（25）呈凹弧形柱状，所述立体金属框架条（200）切割成复数个立体金属框架（20）； 或所述漏极金属引脚（25）的成形工艺：准备高度相同的若干个金属柱，所述金属柱通过焊接层Ⅱ（19）设置在所述金属框架本体（21）的刻蚀面的镂空图案（220）的外围，形成漏极金属引脚（25），所述焊接层Ⅱ（19）为钛、铜、银、镍、金、锡中的一种金属或者几种金属的组合；所述金属柱成形工艺：准备金属薄片，通过刀片或激光分割成长方体状的金属柱； 步骤六、通过对位点（250）对位，将所述芯片单体（10）的背面朝下依次放入立体金属框架条（200）的型腔（26）内，使其漏极区的导电线路层（30）通过焊接层Ⅰ（18）与所述金属框架本体（21）的刻蚀面电性连接； 步骤七、通过薄膜辅助塑封单面成型工艺，在立体金属框架条（200）的上方用塑封材料（90）将立体金属框架条（200）和垂直型MOSFET芯片（10）包覆，并填充镂空图案（220）； 步骤八、通过研磨工艺暴露出立体金属框架条（200）的漏极金属引脚（25）的上表面（251），以及垂直型MOSFET芯片（10）的源极导电垫的上表面（131）和栅极导电垫的上表面（151），源极导电垫的上表面（131）和栅极导电垫的上表面（151）与漏极金属引脚的上表面（251）齐平； 步骤九、依次通过溅射、腐蚀、化学沉积、印刷或者喷涂液体金属的方式在源极导电垫的上表面（131）、栅极导电垫的上表面（151）、漏极金属引脚的上表面（251）分别制作导电金属层Ⅰ（61）、导电金属层Ⅱ（63）和导电金属层Ⅲ（65）； 步骤十、沿横向切割道Ⅲ（210）与纵向切割道Ⅲ（230）将上述封装体分割成复数颗垂直型MOSFET芯片的封装结构单体，将垂直型MOSFET芯片（10）的漏极通过立体金属框架（20）向上引至与垂直型MOSFET芯片（10）的源极和栅极相同的平面。

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