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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210509148.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王春明;王绍迪设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层、控制栅极层、第二氧化物层、存储层和第一氧化物层，以形成栅极堆叠体；在栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体；在第一栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，在第二栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；蚀刻栅极堆叠体以形成第一开口；在衬底的位于第一开口下方的部分中形成源极区域；以及在第一选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，在第二选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩模层； 蚀刻所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层，以形成由所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层、所述存储层和所述第一氧化物层的剩余部分构成的栅极堆叠体； 在所述栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体，并且，在所述衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构，其中，包括： 在所述栅极堆叠体的两侧形成控制栅极间隔体； 在所述栅极堆叠体的侧面和上表面、以及所述衬底的第一区域和第二区域上沉积第一栅极氧化膜； 在所述衬底的第一区域和第二区域中执行选择栅极沟道离子注入； 移除所述第一栅极氧化膜的在所述栅极堆叠体的上表面、以及所述衬底的第一区域和第二区域上的部分，以形成所述第一栅极间隔体和所述第二栅极间隔体；以及 在所述衬底的第一区域和第二区域上沉积预设厚度的氧化物，以分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构，所述第一区域和所述第二区域位于所述栅极堆叠体两侧，其中，所述第一栅极间隔体的厚度大于所述第一选择栅极氧化物结构的厚度，所述第二栅极间隔体的厚度大于所述第二选择栅极氧化物结构的厚度； 在所述第一栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，并且，在所述第二栅极间隔体的与所述栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极； 蚀刻所述栅极堆叠体，以形成穿过所述硬掩模层、所述控制栅极层、所述第二氧化物层和所述存储层的第一开口； 在所述衬底的位于所述第一开口下方的部分中形成源极区域；以及 在所述第一选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，并且，在所述第二选择栅极的与所述第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。

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