绍兴中芯集成电路制造股份有限公司邢国兵获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210444226.5，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由邢国兵设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。该垂直腔面发射激光器中，利用遂穿结实现多级有源层有效串联，提高单位面积内功率，并通过对遂穿结进行优化，以使其中的N型掺杂层内设置有N型原子层、P型掺杂层内设置有P型原子层，从而使得遂穿结内的掺杂浓度更高且不会破坏半导体材料的晶体质量，有利于降低遂穿难度，提高载流子的遂穿电流，同时改善遂穿结的吸收系数较大的问题，降低内损耗。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：形成在衬底上至少两层有源层，相邻的有源层之间设置有隧穿结，所述隧穿结包括N型掺杂层和P型掺杂层； 其中，所述N型掺杂层包括掺杂有N型杂质的N型半导体层和N型原子层，所述N型原子层由至少两种N型杂质原子组成；所述P型掺杂层包括掺杂有P型杂质的P型半导体层和P型原子层，所述P型原子层由至少两种P型杂质原子组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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