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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种AlInGaN基光电器件的外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210386072.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种AlInGaN基光电器件的外延结构是由曹盛;罗杰;全知觉;王立;丁杰设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlInGaN基光电器件的外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlInGaN基光电器件的外延结构，包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层、具有V坑的AlInGaN基多量子阱层、具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层、p型AlInGaN层，特征是：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度大于平台厚度；所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层和具有V坑的AlInGaN基多量子阱层之间含有具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度小于平台厚度；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层和p型AlInGaN层之间含有合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层。本发明具有提高空穴注入和收集的效率、调控电子和空穴注入和收集途径的作用，可应用于Micro‑LED、光电探测器、太阳电池。

本发明授权一种AlInGaN基光电器件的外延结构在权利要求书中公布了：1.一种AlInGaN基光电器件的外延结构，包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层、具有V坑的AlInGaN基多量子阱层、具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层、p型AlInGaN层，其特征在于：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度大于平台厚度；所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层和具有V坑的AlInGaN基多量子阱层之间含有具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度小于平台厚度；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层和p型AlInGaN层之间含有合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层的掺Si浓度为1×1019～5×1020cm-3；所述合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层的掺Mg浓度3×1019～1×1021cm-3。

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