杭州电子科技大学;杭电(海宁)信息科技研究院有限公司洪江锟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;杭电(海宁)信息科技研究院有限公司申请的专利一种多发射型抗偏移松耦合变压器及其补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210342972.3，技术领域涉及：H01F27/30；该发明授权一种多发射型抗偏移松耦合变压器及其补偿电路是由洪江锟;赵晓东;王孟哲;陈洪欢;陈张平;孔亚广;黄娜设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多发射型抗偏移松耦合变压器及其补偿电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于旋转超声加工的多发射型抗偏移松耦合变压器，包括呈环形的副边磁芯和三个弧形的主边磁芯，所述副边磁芯的径向外壁绕接有副边线圈，所述主边磁芯上设置有主边线圈，若干所述主边磁芯等分排列设置在副边磁芯的径向外壁，所述副边磁芯与主边磁芯的相对侧之间设有间隙。多发射型松耦合变压器的主边磁芯呈等角度排列在副边磁芯周围，不仅提高了变压器的耦合系数，并且使得原副边磁芯的磁通分布均匀，无论副边磁芯向哪个方向发生一定偏移，变压器的整体耦合系数波动范围都很小。
本发明授权一种多发射型抗偏移松耦合变压器及其补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种多发射型抗偏移松耦合变压器，其特征在于，包括呈环形的副边磁芯1和三个弧形的主边磁芯2，所述副边磁芯1的径向外壁绕接有副边线圈7，所述主边磁芯2上设置有主边线圈6，三个所述主边磁芯2等分排列设置在副边磁芯1的径向外壁，所述副边磁芯1与主边磁芯2的相对侧之间设有间隙5，所述主边磁芯2的内侧设置有凹槽3，所述主边线圈6沿着凹槽绕接在主边磁芯2上，所述副边磁芯1的径向外壁设置有环形槽4，所述副边线圈7绕接在环形槽4上，三个所述主边磁芯2上的主边线圈6的绕线方向和线圈匝数相同。
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