熠谱(上海)半导体制造有限公司方青获国家专利权
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龙图腾网获悉熠谱(上海)半导体制造有限公司申请的专利一种基于多层波导材料结构的端面耦合器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114624821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210336130.7,技术领域涉及:G02B6/30;该发明授权一种基于多层波导材料结构的端面耦合器及其制备方法是由方青;马晓悦;邓卫;李斌;刘庆设计研发完成,并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多层波导材料结构的端面耦合器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及基于多层波导材料结构的端面耦合器及其制备方法,本发明通过衬底层、埋氧层、第一波导层、第一隔离层、第二波导层、第二隔离层、第三波导层、上包层从下到上依次设置而成;第一波导层为两根输入S形波导和一根输出波导;输入S形波导由输入锥形波导、输入直波导、S形弯曲波导、输入直波导和输出锥形波导依次连接构成;输出波导由输入锥形波导、输入直波导和输出锥形波导依次连接构成;第三波导层的波导结构与第一波导层的波导结构相同,两层结构中对应波导结构在垂直方向对齐;第二波导层含有一根输出波导由输入锥形波导和输出直波导依次连接构成。本发明能实现光纤或激光器与纳米线波导进行耦合,增加了对准容差,提高了耦合效率。
本发明授权一种基于多层波导材料结构的端面耦合器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于多层波导材料结构的端面耦合器,其特征在于:包括:上包层1、衬底层2、埋氧层3、第一波导层4、第一隔离层5、第二波导层6、第二隔离层7、第三波导层8; 所述埋氧层3置于衬底层2之上,所述第一波导层4置于埋氧层3之上,所述第一隔离层5置于第一波导层4之上,所述第二波导层6置于第一隔离层5之上,所述第二隔离层7置于第二波导层6之上,所述第三波导层8置于第二隔离层7之上;所述第一波导层4、所述第二波导层6与所述第三波导层8同向设置;所述第一波导层4为两根输入S形波导X1和一根输出波导X2;所述第一波导层4中的输入S形波导X1,由输入锥形波导Y1、输入直波导Y2、S形弯曲波导Y3、输入直波导Y4和输出锥形波导Y5依次连接构成;所述第一波导层4中的输出波导X2由输入锥形波导H1、输入直波导H2和输出锥形波导H3依次连接构成;输入锥形波导Y1的尖端和输入锥形波导H1的尖端朝向左侧,输出锥形波导Y5的尖端和输出锥形波导H3的尖端朝向右侧;所述第三波导层8中的波导结构与所述第一波导层4中的波导结构相同,两层结构中对应波导结构在垂直方向对齐;所述第二波导层6为中间波导层含有一根输出波导X3,由输入锥形波导Z1和输出直波导Z2依次连接构成;所述上包层1置于第三波导层8之上; 所述第一波导层4和第三波导层8的最左侧两根波导结构相同且对称,所述第一波导层4和第三波导层8的两根输入S形波导X1的输出端与输出波导X2在水平平面形成三波导结构的定向耦合器结构; 所述第一波导层4和所述第三波导层8中的各输出波导X2与所述第二波导层6中的输出波导X3在同一垂直面并形成垂直方向的三波导结构的定向耦合器结构。
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