江苏铨力半导体有限公司江子标获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏铨力半导体有限公司申请的专利一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210264590.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法是由江子标;刘贺设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法，其中方法包括：衬底层，所述衬底层包括基底和外延层，所述外延层上形成有氧化层，所述氧化层上横向开设有多个掺杂窗口，所述掺杂窗口延伸至所述外延层，多个所述掺杂窗口的尺寸沿远离主结的方向依次变小；横向变掺杂结构，包括形成于外延层内的多个变掺杂分压环，每个所述变掺杂分压环位于每个掺杂窗口处，所述变掺杂分压环底部下方与所述衬底层之间形成多个结深沿远离主结的方向依次变浅的浮空PN结。本申请具有的技术效果是：有助于实现终端结构在保持耐压性的同时保持较小的尺寸，从而有助于改善终端结构所占芯片面积较高的问题。
本发明授权一种高压MOSFET晶体管终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压MOSFET晶体管终端结构，其特征在于，所述结构包括： 衬底层11，所述衬底层11包括基底和外延层10，所述外延层10上形成有氧化层9，所述氧化层9上横向开设有多个掺杂窗口，所述掺杂窗口延伸至所述外延层10，多个所述掺杂窗口的尺寸沿远离主结1的方向依次变小； 横向变掺杂结构，包括形成于外延层10内的多个变掺杂分压环，每个所述变掺杂分压环位于每个掺杂窗口处，所述变掺杂分压环底部下方与所述衬底层11之间形成多个结深沿远离主结1的方向依次变浅的浮空PN结； 其中，所述掺杂窗口包括多个平行设置的平直部沟槽和位于平直部沟槽长度方向的两端的垂直部沟槽，相邻两个掺杂窗口的平直部沟槽之间距离沿远离所述主结1的方向依次增大。
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