中国科学院高能物理研究所黄彤明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种高频高功率测试平台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114646782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210137612.X，技术领域涉及：G01R1/04；该发明授权一种高频高功率测试平台是由黄彤明;马强;林海英;孟繁博;张沛;潘卫民设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频高功率测试平台在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高频高功率测试平台，其特征在于，包括腔体内导体1、腔体外导体2、腔体上端盖3、腔体下端盖4、电容杯5和待测器件连接端口6；其中，腔体内导体1同轴设置于腔体外导体2内，腔体内导体1的上端与腔体外导体2的上端通过腔体上端盖3连接形成短路面，腔体外导体2的底端与腔体下端盖4连接，腔体内、外导体及上、下端盖形成的内部封闭区域构成四分之一波长同轴谐振腔；电容杯5设置于腔体内导体1的侧壁外侧；待测器件连接端口6设置于腔体外导体2的侧壁，且与电容杯5满足同轴约束关系；腔体下端盖4上设有一个抽真空端口7。
本发明授权一种高频高功率测试平台在权利要求书中公布了：1.一种高频高功率测试平台，其特征在于，包括腔体内导体1、腔体外导体2、腔体上端盖3、腔体下端盖4、两电容杯5和两待测器件连接端口6；其中，腔体内导体1同轴设置于腔体外导体2内，腔体内导体1的上端与腔体外导体2的上端通过腔体上端盖3连接形成短路面，腔体外导体2的底端与腔体下端盖4连接，腔体内导体1、腔体外导体2、腔体上端盖3和腔体下端盖4形成的内部封闭区域构成四分之一波长同轴谐振腔； 两电容杯5对称的设置于腔体内导体1的侧壁外侧；两待测器件连接端口6对称的设置于腔体外导体2的侧壁，且与电容杯5满足同轴约束关系；所述电容杯5为一端开口的圆柱筒结构，圆柱筒结构的开口朝向待测器件连接端口6；待测器件连接端口6为两端开口的圆柱筒结构； 腔体下端盖4上设有一个抽真空端口7，用于连接抽真空泵。
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