普冉半导体(上海)股份有限公司叶晓获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利金属层间通孔形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496911B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210057474.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权金属层间通孔形成方法是由叶晓设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属层间通孔形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
本发明授权金属层间通孔形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属层间通孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在晶圆上进行底层金属10工艺； S2.生长金属层间介质11； S3.进行金属层曝光刻蚀，去除底层金属10正上方的一定厚度的金属层间介质11形成介质凹槽110； S4.生长至少一层绝缘层材料12； S5.进行绝缘层刻蚀，去除介质凹槽110底上的绝缘层材料12，介质凹槽110侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料12； S6.进行通孔曝光刻蚀,去除介质凹槽110底中央到底层金属10之间的金属层间介质11，形成介质凹槽110底中央到底层金属10的通孔13； S7.对介质凹槽110及对应通孔13实施金属层间介质11一体化刻蚀，彻底打开金属层间介质11漏出底层金属10； S8.去除介质凹槽110侧壁的残余绝缘层材料12； S9.填充金属14。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区盛夏路560号504室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号