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龙图腾网获悉厦门芯达茂微电子有限公司申请的专利整合FRD的IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210035642.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权整合FRD的IGBT器件及其制造方法是由徐守一;陈广乐;蔡铭进设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本整合FRD的IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种整合FRD的IGBT器件的制造方法，其包括在衬底的正面形成保护环；在衬底的正面设置氧化层；在部分的衬底的正面设置多个栅极；在栅极之间设置P型阱层；在部分的P型阱层的正面设置N型发射层；在N型发射层、栅极和氧化层的正面设置介质层；注入N导电类型的离子和P导电类型的离子；进行重金属掺杂工艺；在介质层的正面设置金属发射极，和在第一N型层的正面设置FRD阴极。借此，IGBT器件无需外加FRD器件，在封装时能减少寄生参数，提高芯片可靠性，并能节省封装面积使得封装更加灵活。并且，通过引入重金属掺杂，可以降低载流子寿命，提高载流子的复合速度，从而提高开关速度。

本发明授权整合FRD的IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种整合FRD的IGBT器件的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括下列步骤： 提供一衬底，所述衬底具有相对的正面和背面； 在所述衬底的正面形成保护环； 在所述衬底的正面设置氧化层； 在部分的衬底的正面设置多个栅极； 在所述多个栅极之间设置P型阱层； 在部分的所述P型阱层的正面设置N型发射层； 在所述N型发射层、所述栅极和所述氧化层的正面设置介质层； 注入N导电类型的离子和P导电类型的离子，形成第一N型层和第一P型层； 进行重金属掺杂工艺；以及 在所述介质层的正面设置金属发射极，和在所述第一N型层的正面设置FRD阴极； 其中，所述重金属掺杂工艺包括下列步骤：在所述衬底裸露出来的正面沉积重金属膜层；在惰性气体保护中进行合金化处理，使重金属膜层和衬底的接触界面形成合金层；接着，对合金层进行重金属吸取退火处理；所述重金属是指密度大于4.5gcm3的金属； 其中，在所述注入N导电类型的离子和P导电类型的离子的步骤中，注入的N导电类型的离子的浓度高于P导电类型的离子的浓度，所述N导电类型的离子的浓度大于等于所述P导电类型的离子的浓度的20倍； 其中，所述IGBT器件具有元胞区、终端区和FRD区，所述终端区位于所述元胞区和所述FRD区之间，所述栅极位于所述元胞区和所述终端区内，所述N型发射层位于所述元胞区，所述第一P型层位于所述元胞区和所述终端区内，所述第一P型层连接所述P型阱层，所述保护环位于所述终端区，部分所述P型阱层位于相邻二个栅极之间，部分所述P型阱层位于栅极与保护环之间，所述第一N型层位于所述FRD区。

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