华虹半导体(无锡)有限公司陈俊池获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利WAT的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114355157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111567754.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权WAT的测量方法是由陈俊池;李旭东;孟文艳;韩斌设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本WAT的测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种WAT的测量方法，提供测试机台、PSMU仪以及需检测的形成于晶圆上的器件，晶圆上还形成有多个测试键，且每个测试键上形成有多个与不同器件相对应的焊盘；根据焊盘的排列方式得到焊盘排列数据，根据焊盘排列数据选择可做并行测试的焊盘定义为多组待测试组；根据多组待测试组在晶圆上的位置得到多组地址分组数据；将每组地址分组数据分别输入至PSMU仪中不同的PSMU；同时对多组待测试组进行检测。本发明的WAT测量方法在维持良好表现的同时又能有效提升生产量，增加单位时间测试参数，提升WAT机台利用率。
本发明授权WAT的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种WAT的测量方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供测试机台、PSMU仪以及需检测的器件，所述器件形成于晶圆上，所述晶圆上还形成有多个测试键，且每个所述测试键上形成有多个焊盘，每个所述焊盘与不同所述器件相对应； 步骤二、根据所述焊盘的排列方式得到焊盘排列数据，多个所述焊盘的排列方式包括所述焊盘的排列间距，基于所述焊盘排列数据将同一所述测试键的焊盘划分为多组待测试组，不同所述待测试组之间无共用焊盘，所述待测试组用于做并行测试； 步骤三、根据多组所述待测试组在所述晶圆上的位置得到多组地址分组数据； 步骤四、将每组所述地址分组数据分别输入至所述PSMU仪中不同的PSMU; 步骤五、同时对多组所述待测试组进行检测：利用步骤四中的所述地址分组数据将探针与每组所述待测试组中的所述焊盘连接；同时对每组所述待测试组中的所述焊盘施加电压进行测试；得到多组所述待测试组的数据。
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