北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所黄伟兴获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111535097.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由黄伟兴;朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层，功能层位于第一电极层和第二电极层中间，功能层包括第一区域和包围第一区域的U型结构的第二区域，第二区域的U型开口的朝向平行于衬底且远离第一区域，即U型开口朝向外侧，第一区域的材料至少包括锗，第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极。本申请实施例利用U型结构的铁电层作为存储器件的存储层，在保持栅极电压不变的情况下，U型沟道可以增大铁电层的电场，从而增大整个半导体器件的存储窗口，并且在保持整个半导体器件的存储窗口不变的情况下，还可以降低栅极电压，从而降低半导体器件的功耗，提升存储器件的性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一电极层，位于所述衬底的一侧； 功能层，位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述功能层包括第一区域和包围所述第一区域的U型结构的第二区域，所述第二区域的U型开口的朝向平行于所述衬底且远离所述第一区域，所述第一区域的材料至少包括锗，所述第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极； 第二电极层，位于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层为源极层或漏极层中的一种，所述第二电极层为源极层或漏极层中的另一种； 所述第一区域的材料为硅锗； 当所述第一区域的材料为硅锗时，在垂直于所述衬底的方向上，所述锗的掺杂比例先增大后减小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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