华虹半导体(无锡)有限公司周洋获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111398501.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法是由周洋;徐杰;柳邦杰;李雨菲设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，降低闪存单元的高度；步骤二，通过湿法刻蚀方式调节闪存单元肩膀的轮廓，使ILD层在HDP填充后的轮廓更加平缓，利于后续TEOS的填充。本发明使闪存单元肩膀更加平缓，平缓肩膀使ILD层在HDP填充后的轮廓也更加平缓没有过分凹陷，利于后续TEOS的填充，防止孔洞产生，湿法刻蚀时间越长，HDP填充后的轮廓更平缓。
本发明授权改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，字线多晶硅沉积完，调节形成字线图形的化学机械研磨工艺条件,通过化学机械研磨的方法研磨掉多余多晶硅以及平坦化,降低闪存单元的高度； 步骤二，通过湿法刻蚀方式调节闪存单元肩膀的轮廓； 步骤三，使用高密度等离子方法填充氧化物到闪存单元之间，然后再通过PECVD沉积一层TEOS。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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