美光科技公司P·S·阮获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111401190.4，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元是由P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元在说明书摘要公布了：本申请案涉及读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元。一种存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。在接收到所述数据位之后，存储器装置根据位的值的组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示所述数据位的值的组合的第一电平。所述阈值电平被划分为多个组，每一组含有所述阈值电平的子集。使用“异或”或“同或”来将所述数据位组合到所述多个组当中含有所述第一电平的第一组的组标识的位中。所述存储器装置使用所述组标识从所述第一存储器单元读回所述数据位以精细编程所述存储器单元的所述阈值电压以表示所述数据位。
本发明授权读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种用于存储器装置的方法，所述方法包括： 接收预定数目个数据位； 根据所述预定数目个数据位中的位的值的组合与阈值电平之间的第一映射，将第一存储器单元的阈值电压编程到表示所述数据位的值的组合的第一电平，所述阈值电平中的每一个在多个组中的一组中，所述多个组中的每一组含有所述阈值电平的子集； 从所述数据位通过“异或”或“同或”计算所述多个组当中的第一组的组标识，所述第一组含有所述第一电平，所述组标识具有至少两个位；及 基于所述组标识读取具有编程到所述第一电平的所述阈值电压的所述第一存储器单元以获得所述预定数目个数据位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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