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龙图腾网获悉扬州工业职业技术学院申请的专利一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114062451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111381329.3，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法是由高庆;陈凯;陈秀清;张培培;姜晔;马金龙设计研发完成，并于2021-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，本发明以氯霉素为模板分子、N‑4‑戊烯酰异亮氨酰‑壳寡糖为功能单体低聚物，在交联剂和引发剂的作用下首先在玻碳电极表面热聚合形成氯霉素分子印迹膜，然后在含氯霉素的吡咯溶液中进行电化学聚合，形成复合的双重分子印迹膜。本发明制得的传感器用于氯霉素浓度测定时，特异性、灵敏度和稳定性俱佳，检测时的电活性探针可以为铁氰化钾、二茂铁甲醇等；所制备的传感器为双重分子印迹性能，对比单层的分子印迹膜，显著提升了复合分子印迹膜对氯霉素的识别性能，检测限达到nM级。

本发明授权一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）将氯霉素和N-4-戊烯酰异亮氨酰-壳寡糖加入由体积比为12～21的DMF和H2O组成的混合溶剂中，室温超声溶解，然后再加入交联剂和引发剂，静置5～24h后，用氮气除去溶解氧，取得混合液； 2）将混合液滴到洁净的玻碳电极表面，然后再覆盖干净的盖玻片，置于55～75℃烘箱中加热5～20h，除去盖玻片后在玻碳电极表面形成一层透明的初级聚合物膜； 3）二次聚合是在2mL含有5~30mM吡咯和饱和量的氯霉素的0.1~0.5M电解质溶液中进行的，采用三电极体系，以初级聚合物膜电极为工作电极，铂丝电极为对照电极，饱和甘汞电极为参比电极，电位范围为0～1.2V，扫描速率为5~20mVs-1，循环伏安法扫描4~10圈，得到二次聚合的氯霉素分子印迹膜修饰的玻碳电极； 4）将二次聚合的氯霉素分子印迹膜修饰的玻碳电极用含醋酸质量百分数为10～70%的甲醇溶液作为洗脱液洗脱分子印迹膜中的印迹分子氯霉素，即得复合的氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器； 所述交联剂为二甲基丙烯酸乙二醇酯，所述引发剂为偶氮二异丁腈。

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