华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司佘海艳获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111375589.X，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法是由佘海艳设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维堆叠电容集成结构，包括：衬底，所述衬底具有正面和与正面相对的背面；一个或多个电容，所述电容包括多个电容极板以及夹在相邻电容极板之间的电容介质，其中所述电容极板为贯穿衬底的顶面和底面的平板。本发明还涉及一种三维堆叠电容集成结构的制作方法。
本发明授权一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠电容集成结构的制作方法，包括： 在晶圆衬底正面沉积绝缘介质层； 在晶圆衬底正面制作电容，首先在衬底正面的绝缘介质层上形成电容极板，然后在电容极板上沉积电容介质，在电容介质上形成电容极板； 将多片晶圆进行键合； 对键合后的多层晶圆划片； 将划片后的条形晶圆90°转向，水平放置于载片上； 将多个水平放置的条形晶圆重组，形成平板结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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