成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司林朝明获国家专利权
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龙图腾网获悉成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司申请的专利闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111398342.X，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质是由林朝明;张新展设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，编程方法包括以下步骤：获取编程信息；根据所述编程信息配置单位编程信息；配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；该编程方法结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
本发明授权闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存芯片编程方法，用于对闪存芯片进行编程，其特征在于，所述编程方法包括以下步骤： 获取编程信息； 根据所述编程信息配置单位编程信息，所述单位编程信息为根据编程信息的区域性重复特点进行配置的编程指令； 配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息； 根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程； 所述根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程的步骤包括： 根据所述编程信息设置所述变化地址信息的起始地址、最终地址和地址变化间隔； 以所述起始地址为编程起点，根据地址变化间隔设置当前地址； 根据所述当前地址和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，并周期性地查询所述当前地址是否完成编程； 在完成最终地址编程时结束所述闪存芯片的编程。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司，其通讯地址为：610096 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段666号2栋8楼802号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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