华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司董俊获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利提高外延生长晶圆对位通过率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344883.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权提高外延生长晶圆对位通过率的方法是由董俊;张顾斌;王雷设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高外延生长晶圆对位通过率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。本发明可以过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形。
本发明授权提高外延生长晶圆对位通过率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，获取原始版图； 步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记； 步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；光刻对位标记棱角分明，在正常对焦条件下，光刻对位标记图形的漂移图形以及变形图形会被视觉成像的方式抓到； 步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，调整视觉成像的焦距，将成像图形由清晰的图形变为模糊的图形，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。
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