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龙图腾网获悉深圳TCL新技术有限公司申请的专利芯片去耦电容位置确定方法、装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114117991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111320274.5，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权芯片去耦电容位置确定方法、装置及系统是由余灿强;陈欣;刘国栋设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片去耦电容位置确定方法、装置及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片去耦电容位置确定方法、装置及系统。所述方法包括：根据待测芯片和PCB走线，建立第一PCB三维模型；根据第一PCB三维模型和去耦电容，建立第二PCB三维模型，并将设置去耦电容的位置确认为当前位置；根据预设吸取电流频率，获取对应第二S参数；对第二PCB三维模型输入预设EMI辐射激励信号，输出第二EMI辐射强度；若第二S参数和第二EMI辐射强度不满足预设EMI辐射条件，则将去耦电容设置在供电引脚与当前位置之间的PCB走线上，并将当前位置更新为设置去耦电容的位置，直至满足预设EMI辐射条件，将更新后的当前位置确认为去耦电容的优化位置，实现对去耦电容位置的优化，提高了去耦电容位置确认效率，从而提高芯片电路的生产效率。

本发明授权芯片去耦电容位置确定方法、装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片去耦电容位置确定方法，其特征在于，包括： 根据待测芯片和PCB走线，建立第一PCB三维模型；所述PCB走线为连接所述待测芯片的供电引脚的走线； 根据所述第一PCB三维模型和设置在所述PCB走线上的去耦电容，建立第二PCB三维模型，并将设置所述去耦电容的位置确认为当前位置；其中，若判定设置所述去耦电容的PCB走线为连接地平面的走线，则更换PCB走线，并在更换后的PCB走线上选取任意位置，将去耦电容设置在更换后的PCB走线上，将设置所述去耦电容的位置确认为当前位置； 根据预设吸取电流频率，获取对应所述第二PCB三维模型的第二S参数；对所述第二PCB三维模型输入预设EMI辐射激励信号，输出对应所述第二PCB三维模型的第二EMI辐射强度； 若所述第二S参数和所述第二EMI辐射强度不满足预设EMI辐射条件，则将所述去耦电容设置在所述第一PCB三维模型的所述PCB走线的所述供电引脚与所述当前位置之间，并将所述当前位置更新为设置所述去耦电容的位置，直至所述第二S参数和所述第二EMI辐射强度满足预设EMI辐射条件，将更新后的所述当前位置确认为所述去耦电容的优化位置。

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