京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司车春城获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利一种集成无源器件、其制作方法及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265841.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种集成无源器件、其制作方法及半导体装置是由车春城;肖月磊;李月;吴艺凡;常文博;曹雪;周毅;韩基挏;周柏君;龚林;安齐昌;冯昱霖;曲峰设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成无源器件、其制作方法及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种集成无源器件、其制作方法及半导体装置，本发明通过采用第一柔性基板+玻璃基板+第二柔性基板的三明治结构，取代相关技术中的单层玻璃基板结构，可以增加器件强度，弥补玻璃基板打孔填充导电结构后强度降低的问题；并且本发明通过设计三维电感结构、平面电容结构，可以提高电感的品质因素即Qfactor，从而降低损耗，提高集成无源器件的可靠性。
本发明授权一种集成无源器件、其制作方法及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种集成无源器件，其特征在于，包括：相对设置的第一柔性基板和第二柔性基板，以及位于所述第一柔性基板和所述第二柔性基板之间的玻璃基板；其中，所述玻璃基板具有贯穿厚度方向的至少一个通孔； 至少一个电感，所述电感包括：位于所述第一柔性基板和所述玻璃基板之间的第一导电结构，填充在所述通孔内的第二导电结构，以及位于所述第二柔性基板和所述玻璃基板之间的第三导电结构； 其中，所述第一导电结构包括：位于所述第一柔性基板和所述玻璃基板之间的第一导电层，以及位于所述第一导电层和所述玻璃基板之间的第一导电胶层；所述第一导电结构和所述第三导电结构通过所述第二导电结构电连接；所述通孔在所述第一柔性基板上的正投影位于所述第一导电层在所述第一柔性基板上的正投影范围内；所述第一导电胶层包括：第一本体以及位于所述第一本体内部的第一导电球体，所述第二导电结构通过所述第一导电球体与所述第一导电层电连接； 至少一个电容，所述电容位于所述第二柔性基板和所述玻璃基板之间，且所述电容与电感电连接。
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