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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116367921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003119.2，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置是由赵莹莹;古乐;樊博麟;姚文亮;魏秋旭;高涌佳;杨莉设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置。数字微流控芯片包括相对设置的第一基板1和第二基板2，第一基板1上设置有用于驱动液滴移动的多个驱动区域，至少一个驱动区域包括驱动晶体管50、驱动电极60和存储电容，驱动电极60分别与驱动晶体管50和存储电容连接，存储电容被配置为在驱动晶体管50导通时充电，在驱动晶体管50断开时保持驱动电极60上的电压信号。

本发明授权数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置在权利要求书中公布了：1.一种数字微流控芯片，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板上设置有多个驱动区域，至少一个驱动区域包括驱动晶体管、驱动电极和存储电容，所述驱动电极分别与所述驱动晶体管和存储电容连接，所述存储电容被配置为在所述驱动晶体管导通时充电，在所述驱动晶体管断开时保持所述驱动电极上的电压信号； 所述第一基板上设置有多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相互交叉限定出多个驱动区域，至少一个驱动区域中，所述驱动晶体管至少包括第一栅电极、第二栅电极、第一极和第二极，所述第一栅电极和第二栅电极与所述栅线连接，所述第一极与所述数据线连接，所述第二极与所述驱动电极连接； 至少一个驱动区域中，所述第一基板包括： 第一基底； 设置在所述第一基底上的第一导电层，所述第一导电层至少包括栅线、第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和第二栅电极分别与所述栅线连接； 覆盖所述第一导电层的第一绝缘层； 设置在所述第一绝缘层远离第一基底一侧的半导体层，所述半导体层至少包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层在第一基底上的正投影与所述第一栅电极在第一基底上的正投影至少部分交叠，所述第二有源层在第一基底上的正投影与所述第二栅电极在第一基底上的正投影至少部分交叠； 设置在所述半导体层远离第一基底一侧的第二导电层，所述第二导电层至少包括数据线、第一极、连接电极和第二极，所述第一极的第一端与所述数据线连接，所述第一极的第二端和所述连接电极的第一端分别设置在所述第一有源层上，所述连接电极的第二端和所述第二极的第一端分别设置在所述第二有源层上； 覆盖所述第二导电层的第二绝缘层； 设置在所述第二绝缘层远离第一基底一侧的第三导电层，所述第三导电层至少包括电容电极； 覆盖所述第三导电层的第三绝缘层，所述第三绝缘层上设置有连接过孔，所述连接过孔暴露出所述第二极； 设置在所述第三绝缘层远离第一基底一侧的第四导电层，所述第四导电层至少包括驱动电极，所述驱动电极通过所述连接过孔与所述第二极连接，所述驱动电极在第一基底上的正投影与所述电容电极在第一基底上的正投影至少部分交叠，所述电容电极与所述驱动电极构成所述存储电容。

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