格芯(美国)集成电路科技有限公司A·R·杰斯瓦尔获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利存储器器件的参考生成的按行跟踪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110911807.0，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权存储器器件的参考生成的按行跟踪是由A·R·杰斯瓦尔;B·C·保罗设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的参考生成的按行跟踪在说明书摘要公布了：本发明涉及存储器器件的参考生成的按行跟踪。本公开涉及一种结构，该结构包括多个磁随机存取存储器MRAM位基元，位基元包括第一电路和第二电路，第二电路被连接到与第一电路相同的字线，使得第二电路被配置为并联串联连接以生成用于感测的参考电阻值。
本发明授权存储器器件的参考生成的按行跟踪在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件结构，包括多个磁随机存取存储器MRAM位基元，所述位基元包括第一电路和第二电路，所述第二电路被连接到与所述第一电路相同的字线，使得所述第二电路被配置为并联串联连接以生成用于感测的参考电阻值， 其中，所述第二电路包括： 第一位线； 第一磁隧道结MTJ，其直接连接到所述第一位线； 第一晶体管，其直接连接到所述第一MTJ； 第二晶体管，其源极直接连接到所述第一晶体管的漏极； 第二MTJ，其直接连接到所述第二晶体管； 第二位线，其不同于所述第一位线并且直接连接到所述第二MTJ；以及 第一源极线，其直接连接到所述第一晶体管的所述漏极和所述第二晶体管的所述源极， 其中，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极直接连接到所述相同的字线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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