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龙图腾网获悉江门市世运微电科技有限公司申请的专利一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110804814.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板是由蔡琨辰设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板，对铜支架进行双面蚀刻，形成通孔，将所述双面电极芯片安装在所述通孔处，第一绝缘层压合在所述双面电极芯片的上方，所述铜支架进行单边蚀刻，形成铜柱，第二绝缘层压合在所述双面电极芯片的下方，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相连接以形成第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行双面蚀刻，形成设置在所述铜柱处的铜柱盲孔部和设置在所述双面电极芯片的芯片盲孔部，对所述铜支架盲孔部和所述芯片盲孔部进行电镀填孔，形成第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层通过所述铜柱与所述第二重布线层连通，可以降低通孔的深度，来降低电镀填孔的难度，进而保证产品生产质量。

本发明授权一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板在权利要求书中公布了：1.一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，应用在双面电极芯片上，其具体步骤包括： 对铜支架进行双面蚀刻，形成通孔； 将所述双面电极芯片安装在所述通孔处； 第一绝缘层压合在所述双面电极芯片和所述铜支架的上方； 对所述铜支架进行单边蚀刻，形成铜柱； 第二绝缘层压合在所述双面电极芯片和所述铜柱的下方，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相连接以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层包裹着所述铜柱和所述双面电极芯片； 对所述第三绝缘层进行双面蚀刻，形成设置在所述铜柱处的铜柱盲孔部和设置在所述双面电极芯片的芯片盲孔部，其中，所述铜柱盲孔部包括设置在所述铜柱上方的第一铜柱盲孔和设置在所述铜柱下方的第二铜柱盲孔，所述芯片盲孔部包括设置在所述双面电极芯片上方第一芯片盲孔和设置在所述双面电极芯片下方的第二芯片盲孔； 对所述第一铜柱盲孔和所述第一芯片盲孔进行电镀填孔，形成第一重布线层，对所述第二铜柱盲孔和所述第二芯片盲孔进行电镀填孔，形成第二重布线层，第一芯片盲孔被电镀填孔后变成了第一盲孔，第一铜柱盲孔被电镀填孔后变成了第二盲孔；所述第一重布线层包括设置在第一盲孔内的第一金属层和设置在第二盲孔内的第二金属层；对所述第一重布线层进行切割，将所述第一金属层和所述第二金属层分割，所述第一金属层与双面电极芯片的一电极电连接，所述第二金属层通过所述铜柱和所述第二重布线层与所述双面电极芯片的另一电极电连接。

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